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- 2025-03-07預(yù)計(jì)何時(shí)能看到基于1納米技術(shù)的商業(yè)產(chǎn)品？
雖然1納米技術(shù)展現(xiàn)出令人振奮的潛力，但在我們真正看到基于該技術(shù)的商業(yè)產(chǎn)品走入市場(chǎng)之前，可能還需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。樂(lè)觀估計(jì)，最早可能在2028年左右，甚至更晚，我們
- 2025-03-06日本公司競(jìng)相推進(jìn) 1 納米半導(dǎo)體技術(shù)
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，日本正積極尋求重振其昔日輝煌，將目光聚焦于下一代芯片技術(shù)——1納米半導(dǎo)體。為了重奪在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，多家日本公司正
- 2025-03-05盡管汽車和工業(yè)芯片潛力巨大，但市場(chǎng)復(fù)蘇仍不明朗
盡管汽車和工業(yè)芯片在長(zhǎng)期發(fā)展中展現(xiàn)出巨大的潛力，但當(dāng)前市場(chǎng)的復(fù)蘇依然面臨諸多不確定性。這種不確定性主要體現(xiàn)在市場(chǎng)的結(jié)構(gòu)性分化以及需求恢復(fù)的緩慢進(jìn)程上。 首先，從
- 2025-03-04蘋(píng)果將加速研發(fā)AI芯片 擺脫對(duì)英偉達(dá)依賴
蘋(píng)果公司正在加速推進(jìn)自主研發(fā)人工智能（AI）芯片的進(jìn)程，以期減少對(duì)英偉達(dá)的依賴。這一戰(zhàn)略的核心在于與博通公司合作，共同開(kāi)發(fā)一款代號(hào)為“Baltra”的AI服務(wù)器
- 2025-02-25蘋(píng)果發(fā)布首款定制調(diào)制解調(diào)器芯片
蘋(píng)果公司已于2025年2月19日正式發(fā)布了首款自主研發(fā)的定制調(diào)制解調(diào)器芯片，該芯片將首次搭載于入門(mén)級(jí)智能手機(jī)iPhone SE4（或iPhone 16e）中。這
- 2025-02-24英特爾和三星能否聯(lián)手挑戰(zhàn)臺(tái)積電的代工寶座？
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，臺(tái)積電（TSMC）的地位猶如巨擘，其市場(chǎng)主導(dǎo)地位在短期內(nèi)似乎難以撼動(dòng)。 2024 年第二季度的數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電以 62.3% 的市場(chǎng)份額遙
- 2025-02-21英飛凌推出首批采用200毫米晶圓制造的SiC器件
英飛凌近日宣布推出首批采用200毫米晶圓制造的SiC（碳化硅）器件，這一舉措不僅標(biāo)志著英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位得到進(jìn)一步鞏固，更預(yù)示著SiC技術(shù)的加速普
- 2025-02-20臺(tái)積電創(chuàng)始人表示，與三星合作是不可行的
臺(tái)積電創(chuàng)始人張健榮在其自傳發(fā)布會(huì)上，深入回顧了與三星電子之間的互動(dòng)，明確表示與三星的合作是不可行的。他指出，三星所面臨的并非戰(zhàn)略層面的挑戰(zhàn)，而是技術(shù)上的困難，這
- 2025-02-19臺(tái)積電創(chuàng)始人指出三星和英特爾跌倒的核心原因
臺(tái)積電創(chuàng)始人近日指出，三星和英特爾在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)跌倒的核心原因主要與其戰(zhàn)略失誤和技術(shù)落后有關(guān)。根據(jù)他的分析，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2025年前繼續(xù)主導(dǎo)7nm以下的代工
- 2025-02-17在 AI 需求不斷增長(zhǎng)的情況下，三星正在探索未來(lái) iPhone 的獨(dú)立 LPDDR
三星電子正在積極研發(fā)一種新型的分立封裝低功耗動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（LPDDR），專門(mén)為蘋(píng)果iPhone設(shè)計(jì)，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)上不斷變化的需求。根據(jù)韓國(guó)媒體的報(bào)道，三星已
